![tri-elektro.pl](/upload/tri-store/logos//logo-tri-elektro1.jpg)
-
-
Koszyk jest pustySuma 0
-
Pamięć SILICON POWER (LongDIMM\DDR3\4 GB\1600MHz\1.5V\11 CL\Single)
![Pamięć SILICON POWER (LongDIMM\DDR3\4 GB\1600MHz\1.5V\11 CL\Single) Pamięć SILICON POWER (LongDIMM\DDR3\4 GB\1600MHz\1.5V\11 CL\Single)](/images/tri-store/1933000-1934000/Pamiec-SILICON-POWER-LongDIMMDDR34-GB1600MHz1-5V11-CLSingle_%5B1933704%5D_480.jpg)
![Pamięć SILICON POWER (LongDIMM\DDR3\4 GB\1600MHz\1.5V\11 CL\Single) Pamięć SILICON POWER (LongDIMM\DDR3\4 GB\1600MHz\1.5V\11 CL\Single)](/images/tri-store/1933000-1934000/Pamiec-SILICON-POWER-LongDIMMDDR34-GB1600MHz1-5V11-CLSingle_%5B1933704%5D_480.jpg)
Kość pamięci DDR3 Long-DIMM o pojemności 4 GB, pracująca z częstotliwością 1600 MHz. Przeznaczona do zastosowania w komputerach stacjonarnych i dedykowana osobom oczekującym stabilności i wysokiej wydajności. Opóźnienie 11 CL, napięcie 1.5 V.
Wysyłka w ciągu | 48 godzin |
Cena przesyłki | 12.99 |
Dostępność |
|
Kod kreskowy | |
EAN | 4712702626988 |
Zamówienie telefoniczne: 736 840 820
Świetne parametry
Pamięć RAM firmy Silicon Power typu DDR3 wyposażona w pamięć o pojemności 4 GB, pozwala na stabilną i wydajną pracę systemu podczas pracy nawet z wieloma aplikacjami na raz. Szybką pracę systemu wspomaga taktowanie pamięci wynoszące 1600 MHz.
Funkcjonalność
Złocone styki zapewniają komunikację z płytą główną i innymi podzespołami bez zakłóceń. Natomiast opóźnienie na poziomie 11 CL i możliwe napięcie do 1.5 V umożliwia wydajną i stabilną pracę pamięci.
DDR3
Jest to trzecia generacja standardu pamięci, będąca rozwinięciem standardów DDR i DDR2, stosowanego w komputerach PC i komputerach przenośnych jako pamięć operacyjna. DDR3 charakteryzuje się 90nm technologią wykonania, pozwalającą na zastosowanie niskiego napięcia rzędu 1,5V (w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Przekłada się to na 40% niższy pobór prądu oraz większą przepustowość w porównaniu do poprzedniej generacji.
Pojemność pamięci | 4 GB |
Przeznaczenie | Komputer stacjonarny |
Rodzaj pamięci | DDR3 |
Napięcie (V) | 1.5 |
Pozostałe parametry | 512Mx8 1Rank |
Gwarancja producenta | Dożywotnia |
Zamontowane chłodzenie | nie |
Budowa pamięci | Złocone styki |
Ilość modułów w zestawie | 1 |
Częstotliwość szyny pamięci (MHz) | 1600 |
Opóźnienie CAS Latency | 11 CL |
Obsługa ECC | nie |
Złącze | LongDIMM |
Rodzaj konfiguracji | Pojedyncza kość |
Standard pamięci | PC3-12800 |