![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 75w)
Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
The Symbol: MZ-77E250B/EU
The Availability Of: Mało 10 opak
Price: 558.73
Price: 558.73
Shopping cart is empty
For free delivery are missing -,--
Free delivery!
Order Summary
Sum NET 0,00 Kč
Sum Gross 0,00 Kč
Price includes discounts
ZAMÓWIENIA ZŁOZONE DO GODZINY 14 WYSYŁAMY TEGO SAMEGO DNIA!!! W dni robocze. Dotyczy produktów z deklaracją wysyłki 24 godziny.
Zamówienie telefoniczne: 12 200 59 26
Availability and delivery
Order within
and we will send the package today
Shipping within:
48 hours
Price of consignment:
The Lack Of
EAN :
8806090545931
- Producent
- Samsung
- Nazwa typu
- Dyski twarde
- Opis ogólny
- SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5" SATA 3 (560/530 MB/s) V-NAND
- Pojemność dysku
- 250 GB
- Format dysku
- 2,5 cala
- Typ dysku
- SSD
- Typ kości pamięci
- V-NAND
- Technika zapisywania danych
- TLC
- Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
- Tak
- Wsparcie dla technologii TRIM
- Tak
- Cache
- 512 MB
- Interfejs
- SATA III (6 Gb/s)
- Typ złącza
- 7-pin S-ATA
- Prędkość odczytu (max)
- 560 MB/s
- Prędkość zapisu (max)
- 530 MB/s
- Odczyt losowy
- 98000 IOPS
- Zapis losowy
- 88000 IOPS
- Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
- 1500000 h
- Kolor obudowy
- Czarny (Black)
- Cechy
- 250GB;560/530 MB/s
- Informacje dodatkowe
- Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC
- Informacje dodatkowe
- Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm)
- Informacje dodatkowe
- Weight: Apporx. 45.0g
- Informacje dodatkowe
- Controller: Samsung MKX Controller
- Informacje dodatkowe
- Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
- Informacje dodatkowe
- Auto Garbage Collection Algorithm
- Informacje dodatkowe
- AES 256-bit Encryption (Class 0),TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
- Baza SCIP
- Nie
- Grupa towarowa
- Dyski twarde\Dyski SSD
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Pojemność dysku:
250 GB
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
7-pin S-ATA
Format dysku:
2,5 cala
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Cache:
512 MB
Technika zapisywania danych:
TLC
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Manufacturer details
SAMSUNG ELECTRONICS SP. Z O.O.
ul. Marynarska 15
02-674 Warszawa
Poland
info@samsung.com
Responsible person
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Price:
410.46
Price:
410.46
