Powered by Smartsupp
Brak towaru

Dysk SSD Samsung 980 1TB M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe (3500/3000 MB/s) TLC

Symbol: MZ-V8V1T0BW

Dostępność: Brak towaru

Cena: 1250.88

Cena: 1250.88

szt.
Zamówienie telefoniczne: 12 200 59 26

Dostępność i dostawa

Wysyłka w ciągu: 48 godzin
Cena przesyłki:
0
  • Paczkomaty InPost 0
  • DPD Pickup 0
  • Kurier 14.99
  • DPD Pickup pobranie 19.99
  • Paczkomaty (pobranie) 24.99
  • Kurier (Pobranie) 24.99
  • Paczkomaty Inpost dostawa w sobotę 29.99
EAN:
8806090572210
Producent
Samsung
Nazwa typu
Dyski twarde
Opis ogólny
SSD Samsung 980 1TB M.2 PCIe 3.0 NVMe (3500/3000 MB/s)
Rodzina dysków
980
Pojemność dysku
1 TB
Format dysku
M.2 2280
Typ dysku
SSD
Typ kości pamięci
V-NAND
Technika zapisywania danych
TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
Tak
Interfejs
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Typ złącza
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max)
3500 MB/s
Prędkość zapisu (max)
3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written)
600.0
Odczyt losowy
500000 IOPS
Zapis losowy
480000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
1500000 h
Cechy
1TB;3500/3000 MB/s
Informacje dodatkowe
PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.4
Informacje dodatkowe
Samsung V-NAND 3-bitowy MLC
Informacje dodatkowe
Wymiary (SxWxG): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
Informacje dodatkowe
Waga: Maks. 8,0 g
Informacje dodatkowe
Kontroler Samsung Pablo
Informacje dodatkowe
Pamieć podręczna HMB (Host Memory Buffer)
Informacje dodatkowe
Algorytm Auto Garbage Collection
Informacje dodatkowe
256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG / Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Informacje dodatkowe
Tryb uśpienia
Informacje dodatkowe
Średni pobór mocy: Średnio: 4,6 W Maksymalnie: 5,3 W (tryb Burst)
Informacje dodatkowe
Odporność na wstrząsy: 1500 G & 0,5 ms (półsinus)
Informacje dodatkowe
Oprogramowanie Magician do zarządzania SSD
Baza SCIP
Nie
Grupa towarowa
Dyski twarde\Dyski SSD
Parametry:
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Format dysku:
M.2 2280
Rodzina dysków:
980
Prędkość odczytu (max):
3500 MB/s
Prędkość zapisu (max):
3000 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Odczyt losowy:
500000 IOPS
Zapis losowy:
480000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND

Dane producenta

SAMSUNG ELECTRONICS SP. Z O.O.
ul. Marynarska 15
02-674 Warszawa
Poland

info@samsung.com

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Zadaj pytanie